联芯集成电路28纳米HKMG制程成功试产 良率达98%
2018年03月26日 来源：联芯新闻稿
联芯集成电路制造（厦门）有限公司（简称“联芯”）今日宣布，已于今年2月成功试产采用28纳米High-K/Metal Gate 工艺制程的客户产品, 且试产良率达 98%。这是继28纳米Poly/SiON制程技术成功量产以来，再创另一技术发展的新里程碑。
联芯28纳米High-K/Metal Gate 工艺制程采用目前全球最先进的Gate Last制程技术，该技术广泛支持各种组件选项，以提升弹性及符合效能需求，可应用于更多样化的产品如处理器、手机基频、WLAN、平板计算机、FPGA 及网通IC等。与传统的Poly/SiON制程相比，联芯28纳米High-K/Metal Gate技术将有效改善驱动能力，进而提升晶体管的性能，同时大幅降低栅极漏电量。
联芯首席执行官暨副董事长许志清表示，“非常开心联芯能够在28纳米工艺技术上再次取得新的突破，成为国内最先进的28纳米晶圆专工企业，能够同时提供Poly/SiON和High-K/Metal Gate工艺技术，从而为我们的客户提供更完善的解决方案和优质制造服务。未来我们将进一步强化与客户合作，积极推动其产品量产。联芯在短短的时间内取得如此卓越的成绩，我为我们的团队感到骄傲和自豪。”
关于联芯
联芯集成电路制造(厦门)有限公司为台湾联华电子与厦门市人民政府及福建省电子信息集团合资成立之一流晶圆专工企业，于福建省厦门市从事集成电路制造，提供12吋晶圆专工服务。联芯集成电路制造公司于2014年底开始筹建，2015年3月26日奠基动工，2016年第4季起进入量产，已可提供 40nm及28nm 的晶圆专工服务，规划月产能为 5 万片 12 吋晶圆，预计总投资金额达62 亿美元。公司座落于厦门翔安，拥有优良的地理和环境优势，加上母公司台湾联电的技术支持，提供客户在中国制造芯片的选择，同时贴近国内市场，以满足更多本地IC设计业者的需求。