工艺技术

特殊制程解决方案

随着 AIoT、5G、边缘运算和自驾车市场的起飞,芯片设计人员迎来了前所未有的需求与商机,并预期将随着市场的发展而为大众的日常生活带来显着的改变。于此,联华电子专注于提供各种特殊制程的开发和完整的解决方案,以协助设计公司完成各种芯片的开发,并得以快速地加入以享受市场高速的成长。

联华电子的特殊制程解决方案包含有嵌入式非挥发性内存、RFSOI、 CIS、微机电、高压制程以及BCD制程等等。除此之外,开放的合作模式与客制化的弹性可进一步为我们的客户提供最佳的解决方案,期能增加客户产品的竞争力。

联芯特殊制程解决方案则有嵌入式非挥发性内存以及高压制程制程。

eHV 嵌入式高压解决方案

联芯提供了晶圆专工业界涵盖广泛的嵌入式高压解决方案(50nm/40nm/28nm eHV),以因应各种不同液晶显示器尺寸及分辨率,以及其他类型显示器或非显示器相关产品的需求。

在移动显示器驱动器芯片(DDI)解决方案部分,包含了移动通讯市场广泛采用的CSTN、TFT与OLED显示器的单芯片组件。联芯eHV解决方案,在低功耗层级提供了尖端工艺技术、组件,与必备的硅智财。

随着移动通讯组件朝窄边框与无边框发展的趋势,联芯eHV制程致力缩小尺寸限制,以协助客户优化其SDDI竞争力并掌握市场契机。联芯除了成熟的55纳米和40纳米嵌入式高压工艺,针对高端面板厂和显示驱动芯片设计公司的不同需求,进一步提供基于28纳米HKMG的嵌入式高压工艺技术平台(20V和27V)。与中端显示屏的40纳米嵌入式高压技术相比,在大幅提高效能的同时,进一步减少芯片面积,实现最佳性价比的工艺技术方案,满足高端显示驱动芯片更高的技术需求:全屏、省电、高速画质等等。为显示驱动芯片设计公司提供符合业界需求之高端显示驱动解决方案, 提高市场竞争力,进一步提高国内的高端显示驱动芯片市场份额。联芯28纳米高压工艺从2022年已进入大规模量产,良率稳定,在业界处于领先地位。

eNVM 嵌入式非挥发性内存解决方案

联芯eNVM解决方案,包含eFlash、OTP与eFuse,以因应不同应用产品的需求。除了全方位的eNVM解决方案之外,为了多元化的应用产品与特殊客户需求,在12吋晶圆生产并提供具业界竞争力的SSTeNVM组件。

新世代的消费性产品面临挑战,主要在于要迎合更少量多样的产品需求。嵌入式非挥发性内存则可顺应此趋势,透过更新韧体的方式,运用于不同应用产品之中。对于高覆写次数的应用产品,像是智能卡、SIM卡及微处理器而言,eFlash是合适的解决方案。而中低覆写次数或内存密度的应用产品及需要一次性编程的应用产品,则建议用eOTP或eFuse技术。

eNVM嵌入式非挥发性闪存解决方案适用于广泛应用产品
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