逻辑 / 混合信号 / 射频技术是数字电视、蓝牙、Wi-Fi、图像处理器，射频收发器等众多应用中最常用的晶圆专工解决方案。联电为不同的数据处理、混合信号及射频组件技术建立了广泛的跨代技术，也同时为建立专业技术平台奠定了坚实的基础。

从晶圆专工厂的角度来看，逻辑 / 混合信号 / 射频技术为主要的潜在市场。 联芯依托联电集团的工艺技术並已在十二吋制造技术上开发了先进的低功耗和射频技术，以满足 AIoT 时代在数据处理、连接、通信、扫描和传感应用的需求。

22纳米

超低功耗 (ULP) 与超低漏电 (ULL) 制程方案

联芯22纳米工艺依托于联电集团的22纳米工艺技术。联电的22纳米制程，是基于联电的28纳米制程技术作性能的提升，目前已量产。22纳米超级集组合技术将超低功耗 (ULP) 与超低漏电 (ULL) 两种制程方案建立在同一个平台上，其所需光罩数量与28纳米相同且设计规则与 28纳米制程技术兼容，在提升芯片效能的同时无须增加制程的复杂度。芯片设计者可以放心地使用联电的22纳米设计指南来获得芯片在面积与效能上的利益。

22纳米制程平台具有对市场上各种半导体应用的基本IP支持，包括消费电子产品，如机顶盒、数字电视、显示器、电源或对漏电敏感的 IoT 芯片 (具有蓝牙或 WiFi) ，同时更适用于需要延长电池寿命的可穿戴设备。

22纳米制程技术源自于公司的28纳米制程并具有更好的性能表现。与28纳米HKMG制程相比，具有将芯片面积减少10％的优势，同时具有更高的功率效能比和增强的RF性能。 在相同的速度下Iddq可减少30%，或者在相同的Iddq下速度可增加10%。此外22纳米制程添加了可选组件，为单芯片系统(SoC)设计提供更灵活的模拟设计环境。

22纳米超级集组合技术将ULP和ULL两种制程方案建立在同一个平台上。 这项技术可以支持1.0V至0.6V的电压，从而帮助客户可以同时享有SoC设计中这两种技术的优势。

28纳米

驱动价值与性能的28纳米技术

联芯28纳米工艺采用崭新的应力技术 (SMT, t-CESL, c-CESL) 与嵌入式 SiGe，以强化电子迁移率的表现，专为需要高效能与低功耗之应用产品所开发。目前已采用28HLP SiON 与 28HPM/HPCu/HPCu+ HK/MG工艺量产多家客户产品。联芯现正积极扩增28纳米产能，以满足客户对此广受欢迎工艺的高度需求。

联芯高效能低功耗 (HLP) 工艺为40纳米平顺的工艺移转途径，具备了便于设计采用，加速上市时程，以及优异的效能／成本比。针对有高速要求的客户应用产品，此制程提供了大幅提升的效能与功耗，速度可较业界其它晶圆专工厂提供的28nm SiON制程提升10%。

联芯28HPM/HPCu/HPCu+ 技术广泛支持各种组件选项，以提升弹性及符合效能需求，同时瞄准多样的产品系列，例如应用产品处理器、手机基频、WLAN、平板计算机、FPGA 及网通IC等。具备高介电系数／金属闸极堆栈及丰富的组件电压选项、内存字节及降频／超频功能，有助于系统单芯片设计公司推出效能及电池寿命屡创新高的产品。

应用广泛的28纳米技术

联芯丰富的28纳米技术平台及双工艺方法，可精准满足市场上所有主要应用产品的需求。

40纳米

40纳米工艺技术

联芯依托联电集团的40纳米工艺技术。联电集团是领先全球提供40纳米技术的晶圆专工厂，自2008年起已采用此先进工艺产出客户产品。联电集团40纳米低功耗 (40LP)平台，可因应各种不同应用产品的设计需求，由弹性的设计平台开始，客户可选择适合其特定应用产品的工艺组件选项，例如高效能、低功耗晶体管。

联电集团的 40纳米技术由弹性的设计平台开始，客户可选择适合其特定应用产品的工艺组件选项，例如高效能、低功耗晶体管。