逻辑 / 混合信号 / 射频技术是数字电视、蓝牙、Wi-Fi、图像处理器,射频收发器等众多应用中最常用的晶圆专工解决方案。联芯为不同的数据处理、混合信号及射频芯片建立了广泛的跨代工艺技术,也同时为建立专业共i技术平台奠定了坚实的基础。
从晶圆专工厂的角度来看,逻辑 / 混合信号 / 射频技术为主要的潜在市场。 联芯已在十二吋制造技术上开发了先进的低功耗和射频技术,以满足 AIoT 时代在数据处理、连接、通信、扫描和传感等应用上的需求。
22纳米
超低功耗 (ULP) 与超低漏电 (ULL) 制程方案
联芯的22纳米制程,是基于联芯的28纳米制程技术作性能上的提升,目前已进入大规模量产。22纳米技术平台将超低功耗 (ULP) 与超低漏电 (ULL) 两种制程方案组合建立在同一个平台上,其所需光罩数量与28纳米相同,且设计规则与 28纳米制程技术兼容,在提升芯片效能的同时无须增加制程的复杂度。芯片设计者可以放心地使用联芯的22纳米设计指南来获得芯片在面积与效能上的好处。
22纳米制程平台具有对市场上各种半导体应用的基本IP支持,包括消费电子产品,如机顶盒、数字电视、显示器、电源,以及对漏电敏感的 IoT 芯片 (具有蓝牙或 WiFi) ,同时更是适用于需要延长电池寿命的可穿戴设备。
22纳米制程技术源自于28纳米制程并具有更好的性能表现。与28纳米HKMG制程相比,具有将芯片面积减少10%的优势,同时具有更高的功率效能比和增强的RF性能。 在相同的速度下Iddq可减少30%,或者在相同的Iddq下速度可增加10%。此外22纳米制程添加了可选组件,为单芯片系统(SoC)设计提供更灵活的模拟设计环境。
22纳米超级集组合技术将ULP和ULL两种制程方案建立在同一个平台上。 这项技术可以支持1.0V到0.6V的电压,从而帮助客户可以同时享有SoC设计中这两种技术的优势。
28纳米
驱动价值与性能的28纳米技术
联芯28纳米工艺采用崭新的应力技术 (SMT, t-CESL, c-CESL) 与嵌入式 SiGe,以提升电子迁移率,专为需要高效能与低功耗的应用产品所开发。目前已有多家客户产品采用28HLP SiON 以及 28HPM/HPCu/HPCu+ High-K-Metal-Gate 工艺进行量产。联芯现正积极扩增28纳米产能,以满足客户对此广受欢迎工艺的高度需求。
28HLP - 采用强化的SiON技术联芯高效能低功耗 (HLP) 工艺为40纳米平顺的工艺移转途径,便于客户设计采用,加速上市时程,以及具有优异的效能/成本比。针对有高速要求的客户应用产品,此制程提供了大幅提升的效能与功耗,速度可较业界其它晶圆专工厂提供的28nm SiON制程提升10%。
28HPM/HPCu/HPCu+ - 采用高介电系数/金属闸极堆栈技术联芯28HPM/HPCu/HPCu+ 技术广泛支持各种组件选项,可提升弹性及符合效能需求,同时瞄准多样的产品系列,例如应用产品处理器、手机基频、WLAN、平板计算机、FPGA 及网通IC等。具备高介电系数/金属闸极堆栈及丰富的组件电压选项、内存字节及降频/超频功能,有助于系统单芯片设计公司推出效能及电池寿命屡创新高的产品。
应用广泛的28纳米技术
联芯丰富的28纳米技术平台及双工艺方法,可精准满足市场上所有主要应用产品的需求。
40纳米
40纳米工艺技术
联芯是业界领先的提供40纳米技术的晶圆专工厂,自2017年起就已采用此先进工艺产出客户产品。联芯40纳米低功耗 (40LP)平台,可因应各种不同应用产品的设计需求,由弹性的设计平台开始,客户可选择适合其特定应用产品的工艺组件选项,例如高效能、低功耗晶体管。
联芯40纳米超低功耗 (40uLP)平台衍生自40纳米低功耗 (40LP)平台,以更低的操作电压,满足更低功耗、更低漏电的需求。40纳米超低功耗 (40uLP)平台包含界面IP、IP子系统、逻辑设计原件库、嵌入式记忆体以及类比IP,经由对于制程、电压、温度变异参数的最佳化,可适用于两个平台。
联芯40纳米技术可以满足各种高性能、低功耗及低漏电需求的应用:蓝牙无线应用、物联网、低功耗WiFi、GPS、调频无线接收、新兴的Lora、Zigbee、SigFox无线网络应用。
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