工艺技术

40纳米

40纳米工艺技术

联芯依托联电集团的40纳米工艺技术。联电集团是领先全球提供40纳米技术的晶圆专工厂,自2008年起已采用此先进工艺产出客户产品。联电集团40纳米低功耗 (40LP)平台,可因应各种不同应用产品的设计需求,由弹性的设计平台开始,客户可选择适合其特定应用产品的工艺组件选项,例如高效能、低功耗晶体管。

联电集团的 40纳米技术由弹性的设计平台开始,客户可选择适合其特定应用产品的工艺组件选项,例如高效能、低功耗晶体管。

Device Offerings
40LP
Vdd (V)
1.1
Core Vt
Ultra Low
V
Low
V
Regular
V
High
V
Super High
IO
1.8V
V
2.5UD1.8V
V
2.5V
V
2.5OD3.3V
V
3.3V
SRAM
Ultra High Density
0.213
High Density
0.242
High Current
0.303
Dual Port
0.477


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