40纳米工艺技术
联芯依托联电集团的40纳米工艺技术。联电集团是领先全球提供40纳米技术的晶圆专工厂,自2008年起已采用此先进工艺产出客户产品。联电集团40纳米低功耗 (40LP)平台,可因应各种不同应用产品的设计需求,由弹性的设计平台开始,客户可选择适合其特定应用产品的工艺组件选项,例如高效能、低功耗晶体管。
联电集团的 40纳米技术由弹性的设计平台开始,客户可选择适合其特定应用产品的工艺组件选项,例如高效能、低功耗晶体管。
Device Offerings |
40LP |
|
Vdd (V) |
1.1 |
|
Core Vt |
Ultra Low |
V |
Low |
V |
|
Regular |
V |
|
High |
V |
|
Super High |
||
IO |
1.8V |
V |
2.5UD1.8V |
V |
|
2.5V |
V |
|
2.5OD3.3V |
V |
|
3.3V |
||
SRAM |
Ultra High Density |
0.213 |
High Density |
0.242 |
|
High Current |
0.303 |
|
Dual Port |
0.477 |
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